用于三稳态存储的存储单元
授权
摘要
本申请涉及一种用于三稳态存储的存储单元，包括：第一匀质反相器由第一双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；第二匀质反相器由第二双极型场效应晶体管构成，用于存储三进制数据；其中，第一匀质反相器的输入端口与第二匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vx，第二匀质反相器的输入端口与第一匀质反相器的输出端口相连，得到节点电压Vy，以在节点电压Vx和节点电压Vy呈现稳态时，第一匀质反相器和第二匀质反相器交叉连接，用于于三稳态存储。由此，解决了相关技术中只能进行二进制数据的存储，导致存储效率低的问题，不仅可以提升信息存储效率，且不会显著增加使用的器件数量。
基本信息
专利标题 ：
用于三稳态存储的存储单元
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122837286.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-18
授权号 ：
CN216596961U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
任天令鄢诏译侯展田禾杨轶
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
花丽
优先权 ：
CN202122837286.7
主分类号 ：
G11C11/412
IPC分类号 ：
G11C11/412
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的，例如：应用多孔磁芯存储器；应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/41
用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特触发器
G11C11/412
只使用场效应晶体管的
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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