一种单晶炉用螺栓孔定位法兰盖
授权
摘要
本实用新型涉及单晶炉技术领域，尤其为一种单晶炉用螺栓孔定位法兰盖，包括第一盖板、滑块和第一固定板，所述第一盖板顶部固定连接有第二盖板，所述第一盖板内开设有滑槽，所述第一盖板所设滑槽内设有滑块，所述滑块底部固定连接有螺栓，所述滑块顶部固定连接有连接块，所述连接块顶部固定连接有限位板，所述第一盖板底部固定管连接有第一固定板，所述第一固定板外侧固定连接有密封圈，本实用新型中，通过设置的第一盖板、第二盖板、滑块、螺栓和滑槽，可以方便的对螺栓的位置进行调整，方便的将螺栓插入法兰中，使此法兰盖使用更加方便，通过设置的连接块和限位板，可以方便的对滑块进行限位，使滑块移动更加稳定。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉用螺栓孔定位法兰盖
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122896505.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
CN216614925U
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
徐大刚王凡
申请人 ：
天津雷格盛通真空装备制造有限公司
申请人地址 ：
天津市武清区大碱厂镇吉祥道南侧1号
代理机构 ：
安徽善安知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
陈庭
优先权 ：
CN202122896505.9
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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