一种具有复合钝化层结构的HEMT器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种具有复合钝化层结构的HEMT器件，通过在外延层上源极、栅极、漏极、第一钝化层和第二钝化层，第一钝化层覆盖在源极与栅极、漏极与栅极之间区域并与栅脚之间存在间隔，第二钝化层覆盖在第一钝化层的上表面，并且填充在第一钝化层与栅脚之间的间隔内。第一钝化层和第二钝化层层叠设置构成复合钝化层结构能够有效降低栅极的寄生电容，并且能够有效抑制电流崩塌效应，从而提高器件的性能。相比于相同厚度的单一钝化层，本实用新型的复合钝化层结构会使得器件的寄生电容更小。
基本信息
专利标题 ：
一种具有复合钝化层结构的HEMT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122904677.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-24
授权号 ：
CN216719952U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
谷鹏林志东刘胜厚张辉蔡仙清于卓然孙希国卢益锋其他发明人请求不公开姓名
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
连耀忠
优先权 ：
CN202122904677.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/778
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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