集成电路植球装置
授权
摘要
一种集成电路植球装置。所述集成电路植球装置包括承载板、第一真空管道、第二真空管道和第一控制阀门。所述承载板经配置以承载待加工工件。所述承载板包括内圈区域以及包围所述内圈区域的内环区域，其中所述内圈区域设置有第一真空吸孔，所述内环区域设置有第二真空吸孔。所述第一真空管道和所述第二真空管道分别耦接至所述第一真空吸孔以及所述第二真空吸孔。所述第一控制阀门连接至所述第二真空管道。所述第一控制阀门经配置以选择性地导通所述第二真空管道。
基本信息
专利标题 ：
集成电路植球装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123333485.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-28
授权号 ：
CN216528828U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
柯学伦黄中朋李楠
申请人 ：
日月新半导体（苏州）有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区苏虹西路188号
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林斯凯
优先权 ：
CN202123333485.0
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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