一种芯片植球装置
授权
摘要
本实用新型的目的在于，提供一种芯片植球装置，去除锡球的过程采用铜纤维导热配合有机助焊剂，可以将锡球均匀加热熔融，并吸附至铜纤维上；一种植球装置，包括：基座1和栅格顶板2；所述基座1包括底板11和放置台12，所述放置台12设置在所述底板11上；所述放置台12包括有与所述栅格顶板2配合的凸起121，所述放置台12还包括有夹取缺口122；所述栅格顶板2设置有与放置台12上的凸起121配合的凹槽21；还设置有导流槽22；本实用新型的有益效果为：去除锡球的过程采用铜纤维导热配合有机助焊剂，可以将锡球均匀加热熔融，并吸附至铜纤维上。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片植球装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020493906.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-07
授权号 ：
CN211828687U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
赵腾俊刘欣
申请人 ：
海太半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新区出口加工区K5、K6地块
代理机构 ：
无锡市朗高知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵华
优先权 ：
CN202020493906.2
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
