氮化物基半导体模块及其制造方法
实质审查的生效
摘要
包括可移除地压配在形成于印刷电路板(50A)中的腔(510A)中的半导体装置(30A)的半导体模块(10A)及其制造方法。所述半导体装置(30A)和所述印刷电路板(50A)的腔(510A)可彼此配合并分别充当电插头和电插座。可以免去在所述印刷电路板(50A)上焊接所述半导体装置(30A)。因此，封装过程可以更加灵活，且焊料接头的可靠性问题可被去除。
基本信息
专利标题 ：
氮化物基半导体模块及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114391305A
申请号 ：
CN202180004494.9
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-05-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
姚卫刚周春华
申请人 ：
英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
代理机构 ：
深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王琴
优先权 ：
CN202180004494.9
主分类号 ：
H05K1/18
IPC分类号 ：
H05K1/18 H05K3/30
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05K 1/18
申请日 : 20210506
申请日 : 20210506
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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