氮化物基半导体电路及其制造方法
实质审查的生效
摘要
提供一种氮化物基半导体电路，其包含衬底结构、氮化物基异质结构、连接器以及连接通孔。衬底结构包括第一型半导体衬底以及第二型半导体衬底。第二型半导体衬底嵌入在第一型半导体衬底的一区中。第一型半导体衬底具有第一掺杂剂，且第二型半导体衬底具有第二掺杂剂以在第一型半导体衬底和第二型半导体衬底之间形成pn结。氮化物基异质结构配置在衬底结构上。连接器配置在氮化物基异质结构上。连接通孔包括第一互连件以及第二互连件。第一互连件电连接第一型半导体衬底的第一区至连接器中的一个。第二互连件电连接第二型半导体衬底至连接器中的另一个。
基本信息
专利标题 ：
氮化物基半导体电路及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114450804A
申请号 ：
CN202280000195.2
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高吴昊赵起越
申请人 ：
英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
代理机构 ：
深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王琴
优先权 ：
CN202280000195.2
主分类号 ：
H01L29/10
IPC分类号 ：
H01L29/10 H01L27/085 H01L21/768 H01L21/8232 H01L23/48 H01L23/528
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/10
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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