氮化物基半导体电路及其制造方法
实质审查的生效
摘要
提供一种氮化物基半导体电路，其包含第一半导体衬底、第二半导体衬底、氮化物基异质结构、连接器、第一图案化导电层、第二图案化导电层和连接通孔。所述第二衬底配置在所述第一衬底上。所述第一衬底具有第一掺杂剂，所述第二衬底具有不同于所述第一掺杂剂的第二掺杂剂，且所述第一衬底和所述第二衬底之间形成pn结。所述氮化物基异质结构配置在所述第二衬底上。所述连接器配置在所述氮化物基异质结构上。所述第一和第二图案化导电层配置在所述连接器上。所述连接通孔包含第一互连件和第二互连件。所述第一互连件将所述第一衬底电连接到所述连接器中的一个。所述第二互连件将所述第二衬底电连接到所述连接器中的另一个。
基本信息
专利标题 ：
氮化物基半导体电路及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114503261A
申请号 ：
CN202280000194.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵起越高吴昊
申请人 ：
英诺赛科（苏州）科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴江区汾湖高新开发区新黎路98号
代理机构 ：
深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王琴
优先权 ：
CN202280000194.8
主分类号 ：
H01L27/085
IPC分类号 ：
H01L27/085 H01L29/06 H01L29/10 H01L29/778 H01L23/48 H01L21/8232
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/08
只包括有一种半导体组件的
H01L27/085
只包含场效应的组件
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/085
申请日 : 20220107
申请日 : 20220107
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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