具有TCR的STI结构的制作方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种具有TCR的STI结构的制作方法，包括：进行第一次刻蚀，去除目标区域的硬掩模层和绝缘层，形成第一沟槽，绝缘层形成于衬底上，硬掩模层形成于绝缘层上；进行第二次刻蚀，在进行第二次刻蚀的过程中，通入的反应气体在第一沟槽的侧壁形成聚合物，使第一沟槽的侧壁底部的衬底的截面形貌为圆角，聚合物的沉积速率和第二次刻蚀的刻蚀速率的比值为1.5至2.5；进行第三次刻蚀，将第一沟槽向衬底下延伸，形成第二沟槽。本申请通过在刻蚀过程中通过通入反应气体形成聚合物，并通过控制控制聚合物的形成速率和第二次刻蚀的刻蚀速率使沟槽中衬底顶部的圆角形貌更好，提高了器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
具有TCR的STI结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496902A
申请号 ：
CN202210021181.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张振兴熊磊谭理
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
戴广志
优先权 ：
CN202210021181.0
主分类号 ：
H01L21/762
IPC分类号 ：
H01L21/762 H01L21/311 H01L21/312
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/76
组件间隔离区的制作
H01L21/762
介电区
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/762
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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