用于后照式图像传感器的激光退火方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种用于后照式图像传感器的激光退火方法，提供衬底，对衬底的背面减薄，再对衬底进行湿洗；在衬底的正面形成第一二氧化硅层；对衬底进行掺杂，在衬底的顶端生成掺杂层；采用高能激光对衬底进行退火，使得第一二氧化硅层转化为硅层。本发明对衬底进行激光退火前淀积有二氧化硅层，减少砷离子注入过程中的隧道效应；在激光退火过程中保护硅，防止衬底局部区域在激光退火产生的高温下熔融；二氧化硅有激光增透的作用，退火效果更好；二氧化硅将与炭反应并在增强的激光退火中转变为纯硅，无需湿法保护前表面。
基本信息
专利标题 ：
用于后照式图像传感器的激光退火方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497098A
申请号 ：
CN202210022068.4
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宗立超王星杰顾培楼
申请人 ：
上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区祖冲之路1399号
代理机构 ：
上海浦一知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘昌荣
优先权 ：
CN202210022068.4
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/146
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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