一种硅麦克风传感器结构及制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种硅麦克风传感器结构及制造方法，其结构包括基板、MEMS芯片、Asic芯片和硅片，所述基板上设有进音孔，所述MEMS芯片设于进音孔处，所述MEMS芯片与基板之间形成第一音腔，所述进音孔与第一音腔连通；所述硅片设于MEMS芯片上方，所述硅片上设有第二音腔；所述Asic芯片与基板连接；所述MEMS芯片、Asic芯片和硅片外侧设有塑封体；所述塑封体外侧设有金属屏蔽层。本发明一种硅麦克风传感器结构的制作方法中首先将硅片与MEMS芯片进行连接，使得第二音腔可以在制作MEMS芯片时同时进行制作，从而实现封装流程的简化，形成满足产品特性的芯片。
基本信息
专利标题 ：
一种硅麦克风传感器结构及制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114363782A
申请号 ：
CN202210022674.6
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈桂斌胡锐刚庞宝龙杨辉
申请人 ：
华天科技（南京）有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市浦口区桥林街道丁香路16号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
王艾华
优先权 ：
CN202210022674.6
主分类号 ：
H04R19/00
IPC分类号 ：
H04R19/00 H04R19/04 H04R31/00
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H04R 19/00
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
