一种快速制备(100)单晶铜的方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种快速制备(100)单晶铜的方法，在对(111)择优取向纳米孪晶Cu薄膜进行退火的同时，对其施加电场并保持一定时间，使其晶粒快速长大，最终(111)择优取向的纳米孪晶Cu转变为(100)择优取向的单晶Cu。本发明的方法显著提高了单晶Cu的生产效率，制得具有(100)择优取向的大晶粒尺寸单晶Cu，其具有优良的力学性能、抗氧化性能、抗电迁移性能和热稳定性等优点。本发明的(100)单晶铜制备方法简单、高效、成本低，且与目前微电子封装工艺兼容性好，非常适用于大规模工业化生产。
基本信息
专利标题 ：
一种快速制备(100)单晶铜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114411233A
申请号 ：
CN202210028237.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄明亮张诗楠武洋詹莉昕黄斐斐任婧
申请人 ：
大连理工大学
申请人地址 ：
辽宁省大连市高新园区凌工路2号
代理机构 ：
大连东方专利代理有限责任公司
代理人 ：
徐华燊
优先权 ：
CN202210028237.5
主分类号 ：
C30B1/02
IPC分类号 ：
C30B1/02 C30B30/02 C30B29/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B1/00
直接自固体的单晶生长
C30B1/02
热处理法，例如应变退火
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 1/02
申请日 : 20220111
申请日 : 20220111
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
