本公开实施例涉及半导体领域，提供工艺配方及其生成方法以及生成系统、半导体制造方法，其中基于衍射的工艺配方的生成方法包括：提供基础工艺配方，基础工艺配方中的参数包括曝光波长以及曝光能量，基础工艺配方用于形成初始对准图形；进行至少一次反馈修正步骤，以对基础工艺配方进行调整，获取实际工艺配方，其中，每次反馈修正步骤包括：基于当前反馈修正步骤之前的基础工艺配方，获取第一图形以及第二图形，第一图形为显影后的初始对准图形，第二图形为刻蚀后的初始对准图形；基于第一图形与第二图形的差异，对当前反馈修正步骤之前的基础工艺配方进行调整。至少可以提高工艺配方的精确性。