半导体器件的制造方法和系统
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本文示出了一种改进的半导体器件的制作系统和方法。在此系统中，借助EOR系统和CVD系统的联合可以避免有害的溅射效应。在用联合系统淀积之前，在反应室内可以在基片上预形成一个子层，在不接触大气的情况再传递到用联合系统进行淀积的另一个反应室，以使得这样形成的结有良好的特性。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法和系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87104656A
申请号 ：
CN87104656.3
公开（公告）日 ：
1987-12-16
申请日 ：
1987-07-04
授权号 ：
CN1005881B
授权日 ：
1989-11-22
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
李先春
优先权 ：
CN87104656.3
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 H01L21/365
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
1998-08-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1990-08-08 ：
授权
1989-11-22 ：
审定
1988-01-20 ：
实质审查请求
1987-12-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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