一种研究材料表面生长成膜能力的计算方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种研究材料表面生长成膜能力的计算方法,包括下列步骤:步骤一、衬底模型构建,建立衬底材料的超胞模型并优化;步骤二、成膜材料的原子附着位点选择,选取单个成膜材料的原子放在衬底模型表面上,对此模型进行结构优化,得到初始吸附模型及第一次稳定吸附位点;再选择衬底上相邻的重复结构重复上述操作,得到最终吸附模型及第二次稳定吸附位点;步骤三、迁移势垒计算,建立NEB模型,计算这两组吸附模型中的稳定吸附位点间的迁移势垒;步骤四、应用分析,基于上一步得到的迁移势垒和分析得到的影响关系确定一个参数范围进行成膜工艺的调试。本方法以较快的速度确定各种材料成膜所需的温度等参数范围,提高调试和研发效率。

基本信息
专利标题 :
一种研究材料表面生长成膜能力的计算方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114388080A
申请号 :
CN202210040132.1
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2022-01-13
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
程晨言黄永王宇轩李梹激杨旭豪王霄许琦辉常娟雄刘晓磊陈财邵语嫣
申请人 :
西安电子科技大学芜湖研究院
申请人地址 :
安徽省芜湖市弋江区文津西路8号
代理机构 :
芜湖思诚知识产权代理有限公司
代理人 :
项磊
优先权 :
CN202210040132.1
主分类号 :
G16C60/00
IPC分类号 :
G16C60/00  G16C10/00  G16C20/30  G16C20/50  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G16
特别适用于特定应用领域的信息通信技术
G16C
计算化学;化学信息学; 计算材料科学
G16C60/00
计算机材料科学,即专门用于研究与其设计、合成、加工、表征或利用相关的材料或现象的物理或化学特性的ICT
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G16C 60/00
申请日 : 20220113
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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