一种硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路及其控制方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路及其控制方法，具有一总输入端和总输出端，所述硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路包括一偏压电源、一高速驱动器、一负偏差钳位子电路、一PMOS管和一NMOS管，可在总输出端产生一大电压脉冲信号，用于提高硅基单光子探测器的探测效率，并且，NMOS管和PMOS管轮流交替工作，使整个淬灭与恢复电路具有较低的静态功耗，从而延长使用寿命，并且获得的较快的开关速度以及较短的开启和关断时间有利于降低暗计数以及探测死区时间以及提高硅基单光子探测器的计数率，可适用于门控模式和主动模式的硅基单光子探测器的淬灭与恢复，通用性较强。
基本信息
专利标题 ：
一种硅基单光子探测器的淬灭与恢复电路及其控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114337631A
申请号 ：
CN202210043656.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2022-01-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
唐遵烈马华平邓光平郭安然黄建张洪博
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请人地址 ：
重庆市南岸区南坪花园路14号
代理机构 ：
重庆乐泰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张丽楠
优先权 ：
CN202210043656.6
主分类号 ：
H03K17/687
IPC分类号 ：
H03K17/687 H03K17/042 G01J11/00
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03K 17/687
申请日 : 20220114
申请日 : 20220114
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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