一种多基岛大功率模组QFN的封装结构
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种多基岛大功率模组QFN的封装结构，包括：引线框架主体，所述引线框架主体上设有至少四个基岛，第一基岛上设置有IC芯片，第二基岛和第三基岛上分别设置有氮化镓芯片，第四基岛上用于承载打线需求，并将大功率信号引出。设置至少四个基岛，将一个IC芯片和两个氮化镓芯片封装在一起，实现了各芯片的功能，并可实现大功率模组的功能，确保了制造的可行性。
基本信息
专利标题 ：
一种多基岛大功率模组QFN的封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420664A
申请号 ：
CN202210053384.8
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-01-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
饶锡林梁大钟陈勇张怡程浪
申请人 ：
广东气派科技有限公司
申请人地址 ：
广东省东莞市石排镇气派科技路气派大厦
代理机构 ：
北京冠和权律师事务所
代理人 ：
朱健
优先权 ：
CN202210053384.8
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L25/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/495
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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