一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构，通过将一颗双N衬底二极管和一颗双P衬底二极管分别放在两个不同基岛上，组成二极管整流桥堆；相比传统的四颗独立二极管整流桥堆，该方案实现更简单、操作更容易、成本更低。
基本信息
专利标题 ：
一种采用多基岛引线框架的芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020339596.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-18
授权号 ：
CN211238250U
授权日 ：
2020-08-11
发明人 ：
李阳德周占荣徐鹏
申请人 ：
上海晶丰明源半导体股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张衡路666弄2号5层504-511室
代理机构 ：
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
翟羽
优先权 ：
CN202020339596.9
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L25/07 H01L23/495
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2020-08-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
