一种多基岛引线框架及芯片封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种多基岛引线框架及芯片封装结构。多基岛引线框架可设计成双基岛、三基岛或更多基岛，增加了引脚数量，加宽了主散热引脚的宽度，同时将用于放置功率器件的基岛的面积尽可能的设计成大尺寸，提高了散热性能，并同时内部可内置续流二极管，提高了集成度和封装可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种多基岛引线框架及芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021555933.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-30
授权号 ：
CN212517192U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
温世龙李阳德周占荣
申请人 ：
上海晶丰明源半导体股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区张衡路666弄2号5层504-511室
代理机构 ：
上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
翟羽
优先权 ：
CN202021555933.4
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/367
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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