DFN5×6双基岛芯片封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了DFN5×6双基岛芯片封装结构，包括封装框架，封装框架的上表面固定设置有基岛A，封装框架的下表面固定设置有基岛B，封装框架一侧的左边固定设置有P1端口，P1端口的一侧固定开设有P2端口，P2端口的一侧固定开设有P3端口，P3端口的一侧固定开设有P4端口，P4端口的一侧固定设置有P5端口，封装框架另一侧的右边固定开设有P6端口，P6端口的一侧固定设置有P7端口，P7端口的一侧固定开设有P8端口，P8端口的一侧固定连接有P9端口，该DFN5×6双基岛芯片封装结构，实现高压输出，可以获取更低的导通电阻，保证了爬电距离的安全距离，具有良好的电气性能、良好的散热效果，以及采用双基岛结构无需叠封，可省去DAF膜，增加可靠性，降低成本。
基本信息
专利标题 ：
DFN5×6双基岛芯片封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021271260.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-01
授权号 ：
CN212365961U
授权日 ：
2021-01-15
发明人 ：
胡宇辰
申请人 ：
无锡汉奇微电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市滨湖区五三零大厦2号八层802室
代理机构 ：
北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
黄冠华
优先权 ：
CN202021271260.X
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L25/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2021-01-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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