一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管
授权
摘要
本实用新型涉及开关管技术领域，且公开了一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，包括封装外壳，所述封装外壳的内部设置有第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛，所述第一基岛的正面设置有碳化硅芯片，所述第二基岛的正面设置有硅基MOS芯片，所述第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛的侧表面均设置有外接引脚。该芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管，通过将碳化硅芯片安装在第一基岛的正面，从而可以将其安装在尺寸较小的DFN5060封装内部，进而实现将产品进行小型化。
基本信息
专利标题 ：
一种芯片封装用多基岛碳化硅功率开关管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122413027.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-08
授权号 ：
CN216213419U
授权日 ：
2022-04-05
发明人 ：
彭钰
申请人 ：
彭钰
申请人地址 ：
广东省深圳市罗湖区宝安北路3039
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122413027.1
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L23/31 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2022-04-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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