半导体器件结构和滤波器
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供了一种半导体器件结构和滤波器，其中所述半导体器件结构包括：第一衬底，所述第一衬底上形成有至少一个半导体器件；第二衬底，与所述第一衬底键合连接，所述第一衬底与所述第二衬底之间形成有空腔，所述第二衬底朝向所述第一衬底的一侧形成有至少一层第一电感层，每层所述第一电感层中形成有至少一个第一电感器，并且所述第一电感器形成在所述空腔内或所述第二衬底上，所述半导体器件与所述第一电感器电连接。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件结构和滤波器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497369A
申请号 ：
CN202210083664.3
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
丁焱昆赖志国杨清华
申请人 ：
苏州汉天下电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城东北区NE-39幢
代理机构 ：
北京希夷微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴黎
优先权 ：
CN202210083664.3
主分类号 ：
H01L49/02
IPC分类号 ：
H01L49/02 H01L25/16 H05K1/18
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 49/02
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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