一种高带宽硅反面刻蚀型薄膜体声波谐振器及其制备方法
公开
摘要
本发明提供一种高带宽硅反面刻蚀型薄膜体声波谐振器及其制备方法。该体声波谐振器按照从下至上的顺序依次包括衬底、致密氧化膜、底电极、复合压电薄膜和顶电极；所述顶电极、所述复合压电薄膜和所述底电极形成三明治结构；所述衬底中部为中空结构，以在所述底电极下部形成空气‑金属交界面；所述衬底底部还设有掩蔽层。制备方法包括：在衬底两边制备致密氧化膜；去除其中一面致密氧化膜，作为背刻蚀面；在背刻蚀面制备一层掩蔽层，并根据中空结构尺寸对掩蔽层进行光刻图形化处理，形成背刻蚀窗口；在衬底有致密氧化膜的面上制备底电极；在底电极上制备复合压电薄膜；在复合压电薄膜上制备顶电极；刻蚀掉背面刻蚀窗口对应区域的衬底结构，形成中空结构。
基本信息
专利标题 ：
一种高带宽硅反面刻蚀型薄膜体声波谐振器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114584096A
申请号 ：
CN202210100819.X
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李国强
申请人 ：
河源市艾佛光通科技有限公司
申请人地址 ：
广东省河源市高新技术开发区高新五路、泥金路西边办公区二楼
代理机构 ：
广州容大知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何雪霞
优先权 ：
CN202210100819.X
主分类号 ：
H03H9/02
IPC分类号 ：
H03H9/02 H03H3/02
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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