与重分布层的凸块集成
公开
摘要
本公开总体涉及与重分布层的凸块集成。一种形成半导体器件的方法，包括：在衬底之上形成互连结构；在互连结构之上形成第一钝化层；在第一钝化层之上并且与互连结构电耦合地形成第一导电特征；在第一导电特征和第一钝化层之上共形地形成第二钝化层；在第二钝化层之上形成电介质层；以及在第一导电特征之上并且与第一导电特征电耦合地形成第一凸块过孔和第一导电凸块，其中，第一凸块过孔在第一导电凸块和第一导电特征之间，其中，第一凸块过孔延伸到电介质层中、穿过第二钝化层、并且接触第一导电特征，其中，第一导电凸块在电介质层之上并且电耦合到第一凸块过孔。
基本信息
专利标题 ：
与重分布层的凸块集成
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628362A
申请号 ：
CN202210115574.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-02-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨挺立蔡柏豪萧景文许鸿生郑明达
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
陈蒙
优先权 ：
CN202210115574.8
主分类号 ：
H01L23/538
IPC分类号 ：
H01L23/538 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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