提供能够高精度地测定膜厚而不影响晶片的研磨率的研磨装置及研磨方法。研磨装置具备：研磨头(5)，用于将晶片(W)按压于研磨垫；投光光纤(34)，具有顶端(34a)，并且连接于光源(30)，所述顶端配置在研磨台(3)内的流路(7)内；分光仪(26)，根据波长分解来自晶片的反射光并对各波长的反射光的强度进行测定；受光光纤(50)，具有顶端(50a)，并且连接于分光仪，所述顶端配置在流路内；处理部(27)，确定晶片的膜厚；液体供给线路(62)，与流路连通；气体供给线路(63)，与流路连通；液体供给阀(65)，安装于液体供给线路；气体供给阀(67)，安装于气体供给线路；以及动作控制部(71)，控制液体供给阀及气体供给阀的动作。