一种低功耗高精度协议集成电路模组封装工艺
授权
摘要
本发明公开了一种低功耗高精度协议集成电路模组封装工艺，可以实现降低电路模组在封装过程中出现芯片偏移、飞线断裂或者飞线间并联的概率，通过在电路模组键合时将金属框固定套设在电路基板的上方，并将加强筋固定安装在金属框的顶部，可以有效的降低注塑封装时芯片以及飞线受到环氧树脂流动影响的概率，有利于提升生产稳定性，同时，通过将金属框安装在电路基板的顶部，可以降低后期切割时产品受力断裂的概率，有利于提升该工艺生产出来的电路模组小块的结构强度，在一定程度上提升了产品品质。
基本信息
专利标题 ：
一种低功耗高精度协议集成电路模组封装工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114188235A
申请号 ：
CN202210137513.1
公开（公告）日 ：
2022-03-15
申请日 ：
2022-02-15
授权号 ：
CN114188235B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
魏永红魏霄鸿马吉祥王国霖李星星
申请人 ：
江苏高格芯微电子有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市睢宁县双沟镇双塔路与苏杭路交叉口S02厂房
代理机构 ：
徐州先卓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
于浩
优先权 ：
CN202210137513.1
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L21/56 H01L21/68 H01L23/373 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2022-04-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/60
申请日 : 20220215
申请日 : 20220215
2022-03-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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