一种晶体生长槽及槽底杂晶去除方法
实质审查的生效
摘要

本申请提供了一种晶体生长槽及槽底杂晶去除方法,属于晶体生长领域。晶体生长槽包括杂晶溶解罩、移动式连接管、加热器、槽体、连续过滤装置、搅拌电机、载晶架;连续过滤装置设于槽体外部;载晶架设于槽体内部;杂晶溶解罩位于载晶架与槽体的底部之间;杂晶溶解罩的罩体开口朝向槽体的底部;杂晶溶解罩设有溶液进口和溶液出口;移动式连接管的一端与溶液进口连通,另一端与连续过滤装置连通;移动式连接管靠近连续过滤装置的一端设有加热器;晶体生长溶液通过连续过滤系统进入杂晶溶解罩,移动式连接管可移动杂晶溶解罩,以达到定向溶解杂晶的目的,从而解决晶体生长过程中的杂晶问题,提高晶体生长成功率。

基本信息
专利标题 :
一种晶体生长槽及槽底杂晶去除方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114381809A
申请号 :
CN202210151711.3
公开(公告)日 :
2022-04-22
申请日 :
2022-02-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
郑国宗胡子钰林秀钦李静雯李鹏飞
申请人 :
闽都创新实验室;中国科学院福建物质结构研究所
申请人地址 :
福建省福州市闽侯县上街镇海西高新区科技园高新大道8号
代理机构 :
北京元周律知识产权代理有限公司
代理人 :
曲凯歌
优先权 :
CN202210151711.3
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00  C30B29/10  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-05-10 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 35/00
申请日 : 20220218
2022-04-22 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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