一种去除晶圆背封的方法及装置
实质审查的生效
摘要
本公开的实施例提供一种去除晶圆背封的方法及装置，用于去除在晶圆第一表面的膜层，所述膜层包括多晶硅膜层，所述去除晶圆背封的方法包括：在所述多晶硅膜层的第一区域提供第一溶液，所述第一区域为所述晶圆半径尺寸的40％～50％的环形范围；在所述多晶硅膜层的第二区域提供第一溶液，所述第二区域为所述晶圆半径尺寸的3％～5％的环形范围。使用本公开的实施例提供一种去除晶圆背封的方法及装置，可以实现晶圆背封的去除，且无残留和缺陷产生。
基本信息
专利标题 ：
一种去除晶圆背封的方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114267614A
申请号 ：
CN202111576216.9
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王莹莹宋健刘跃宋振伟张守龙金新苏亚青
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
骆苏华
优先权 ：
CN202111576216.9
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/306
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20211221
申请日 : 20211221
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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