泵装置、处理液供给装置、基板处理装置、排液方法以及液体置...
授权
摘要
本发明是泵装置、处理液供给装置、基板处理装置、排液方法以及液体置换方法。在腔室上形成有与积存部连通的至少三个开口、即第一开口、第二开口、第三开口。第二开口位于比第一开口高的位置。第三开口用于：通过从第一开口向积存部内导入气体，或者，通过从第三开口以外的两个开口中的至少任一个开口向积存部内导入气体，来排出积存部内的液体。第三开口在三个开口中位于最低的位置，因此，能够容易地排出容纳于积存部的液体。
基本信息
专利标题 ：
泵装置、处理液供给装置、基板处理装置、排液方法以及液体置换方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109427620A
申请号 ：
CN201810853549.3
公开（公告）日 ：
2019-03-05
申请日 ：
2018-07-30
授权号 ：
CN109427620B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
西村淳树小椋浩之柏山真人门间徹桐田将司佐川荣寿吉田省吾
申请人 ：
株式会社斯库林集团
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
隆天知识产权代理有限公司
代理人 ：
向勇
优先权 ：
CN201810853549.3
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-03-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20180730
申请日 : 20180730
2019-03-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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