气泡去除方法及晶圆电镀设备
授权
摘要
本发明公开了一种气泡去除方法及晶圆电镀设备,其用于在电镀晶圆时消除晶圆表面的气泡,所述气泡去除方法包括:S10、控制晶圆随晶圆夹具以相对电镀液面倾斜的姿态浸入电镀池中,并使所述晶圆夹具的死区位于所述电镀池的溢流区域中;S20、控制所述晶圆夹具沿平行或接近所述电镀液面的方向移动,使所述晶圆夹具的死区离开所述电镀池的溢流区域。该气泡去除方法,利用电镀池的溢流区域的液面高于电镀池的电镀液面的特性,在晶圆夹具带着晶圆以面朝下的姿态浸入电镀液面,通过将晶圆夹具的死区移动至溢流区域,利用电镀液的溢流流动将位于死区内的气泡带出,快速、可靠地实现消除气泡的目的。
基本信息
专利标题 :
气泡去除方法及晶圆电镀设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112877741A
申请号 :
CN202110040352.X
公开(公告)日 :
2021-06-01
申请日 :
2021-01-13
授权号 :
CN112877741B
授权日 :
2022-05-03
发明人 :
史蒂文·贺·汪周志伟
申请人 :
硅密芯镀(海宁)半导体技术有限公司;新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
申请人地址 :
浙江省嘉兴市海宁市海昌街道海宁经济开发区隆兴路118号1512室
代理机构 :
上海弼兴律师事务所
代理人 :
王卫彬
优先权 :
CN202110040352.X
主分类号 :
C25D7/12
IPC分类号 :
C25D7/12 C25D21/10 C25D17/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C25
电解或电泳工艺;其所用设备
C25D
覆层的电解或电泳生产工艺方法;电铸;工件的电解法接合;所用的装置
C25D7/00
以施镀制品为特征的电镀
C25D7/12
半导体
法律状态
2022-05-03 :
授权
2021-06-18 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C25D 7/12
申请日 : 20210113
申请日 : 20210113
2021-06-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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