一种降低轻掺硼晶棒体内铁含量系统及操作方法
公开
摘要
本发明公开了一种降低轻掺硼晶棒体内铁含量系统及操作方法，所述调节机构包括支撑台，所述支撑台的顶部开设有凹槽，所述支撑台的底部开设有放置槽，本发明涉及半导体处理技术领域。该降低轻掺硼晶棒体内铁含量系统及操作方法，通过在支撑台、凹槽、放置槽、驱动电机、驱动齿轮、第一槽体、第二槽体、第一转轴、第二转轴、第一转动齿轮、夹持组件、第二转动齿轮、升降机构和传动组件的配合使用下，在轻掺硼单晶未熔融前，在加热的时候实现翻转，从而使得轻掺硼单晶各面受热均匀，以提高处理效果，解决了现有的处理方式采用开放式热场进行轻掺硼单晶生长，但是，轻掺硼单晶在加热时，受热不均匀，影响处理效果的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种降低轻掺硼晶棒体内铁含量系统及操作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574975A
申请号 ：
CN202210165196.4
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-02-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王忠保马成芮阳
申请人 ：
杭州中欣晶圆半导体股份有限公司;宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市钱塘新区东垦路888号
代理机构 ：
杭州融方专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
沈相权
优先权 ：
CN202210165196.4
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B33/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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