一种硅片镀膜用的防落装置
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种硅片镀膜用的防落装置,包括:销钉;锯齿压块,设置在所述销钉上;夹持装置,设置在外部抓取装置上,随外部抓取装置一起运动将所述销钉插入载板上的销钉孔内或将所述销钉从销钉孔内脱离。发明采用销钉替代传统的盖板结构,简化了固定硅片的机构,增加了自动化实现的便利程度;压块锯齿型设计,以最大限度的减少压硅片的面积,从而增加了硅片整体镀膜的面积,无形中增加了每片硅电池的发电量,从而增加了最终发电量;整体采用圆形无角度设计,可以任意角度放置,方便取放;采用电磁铁,可稳固的固定硅片,防止硅片掉落或较大角度的倾斜,减少损坏率。
基本信息
专利标题 :
一种硅片镀膜用的防落装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114540798A
申请号 :
CN202210207504.5
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-03-03
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
刘翠翠徐亮
申请人 :
江西汉可泛半导体技术有限公司
申请人地址 :
江西省九江市共青城市高新区科技创新园内
代理机构 :
南昌贤达专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
金一娴
优先权 :
CN202210207504.5
主分类号 :
C23C16/458
IPC分类号 :
C23C16/458 H01L31/18
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/458
申请日 : 20220303
申请日 : 20220303
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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