一种碳化硅MOSFET及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅MOSFET及其制备方法，通过在第一栅氧化层和第二栅氧化层的两侧分别形成第一阱区和第二阱区，第一阱区中的第一横向阱区与第一纵向阱区组成掺杂有第二类型掺杂离子的T型结构，且第一横向阱区的掺杂浓度大于第一纵向阱区的掺杂浓度，第二阱区中的两个第二横向阱区设置于第二纵向阱区两侧，且第二纵向阱区的掺杂浓度大于第二横向阱区的掺杂浓度，从而保证了MOSFET的耗尽长度，确保其完全耗尽，实现了对沟槽拐角处的电场强度的削弱，提升了碳化硅MOSFET的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅MOSFET及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114420745A
申请号 ：
CN202210324150.2
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2022-03-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张益鸣刘杰
申请人 ：
深圳芯能半导体技术有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝荷大道76号智慧家园二期2B1301
代理机构 ：
深圳中一联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
阳方玉
优先权 ：
CN202210324150.2
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/78 H01L21/336
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220330
申请日 : 20220330
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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