一种纳米结构三维形貌小角X射线散射测量方法及装置
公开
摘要
本发明属于半导体测量技术领域，具体涉及一种纳米结构三维形貌小角X射线散射测量方法及装置，包括：对待测样品的纳米结构周期单元的三维形貌进行描述，并用以建立三维形貌的透射小角X射线散射场模型；对三维形貌进行透射小角X射线散射场测量，得到散射图谱，其中采用的定位系统能够大范围变化入射角和方位角，能够实现多角度散射图谱测量，在此基础上在参数提取中通过特定公式在图谱中直接提取三维形貌周期信息，提取方式高效、准确，上述公式是通过将不同旋转角度ω下的Δqxz用余弦函数进行拟合得到。本发明方法是一种全新的高效实现复杂IC纳米结构三维形貌快速、非破坏性、精确测量的方法。
基本信息
专利标题 ：
一种纳米结构三维形貌小角X射线散射测量方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114608494A
申请号 ：
CN202210330679.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘世元陈修国杨天娟马健源刘章勇张家豪
申请人 ：
华中科技大学
申请人地址 ：
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
代理机构 ：
华中科技大学专利中心
代理人 ：
尹丽媛
优先权 ：
CN202210330679.5
主分类号 ：
G01B15/04
IPC分类号 ：
G01B15/04 G01B15/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01B
长度、厚度或类似线性尺寸的计量；角度的计量；面积的计量；不规则的表面或轮廓的计量
G01B15/00
以采用波或粒子辐射为特征的计量设备
G01B15/04
用于计量轮廓或曲率
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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