一种光阻缺陷的验证方法
公开
摘要
本发明提出一种光阻缺陷的验证方法，属于半导体技术领域。所述光阻缺陷的验证方法包括：提供一衬底；在所述衬底上形成多个光阻柱；在所述光阻柱上形成光阻层；以及检测所述光阻层是否存在缺陷；若不存在缺陷，则保存所述光阻层形成的参数；若存在缺陷，则修正所述光阻层的形成条件，直至形成表面形貌良好的所述光阻层。通过本发明提出的光阻缺陷的验证方法，能够提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种光阻缺陷的验证方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114609868A
申请号 ：
CN202210511456.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-05-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王恒古哲安林士程
申请人 ：
合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
梁风霞
优先权 ：
CN202210511456.9
主分类号 ：
G03F7/16
IPC分类号 ：
G03F7/16 G03F7/20 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
G03F7/16
涂层处理及其设备
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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