高能级磁控溅射离子镀技术
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
高能级磁控溅射离子镀技术是在具有一个工件负高压电源的磁控溅射离子镀装置中实现的。该离子镀工艺使镀膜有一个靶材(膜材)元素和基材元素共存的过渡层；镀膜中能出现靶材元素和基材元素组成的化合物相和固溶体相；多辉光高能级磁控溅射离子镀技术，进一步扩展了镀膜过渡层，并能沉积多层次镀膜、多元素镀膜以及反应镀膜。上述技术可以满足对表面的不同性能的要求。该项技术还具有节约能源，无公害等优点。
基本信息
专利标题 ：
高能级磁控溅射离子镀技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85102600A
申请号 ：
CN85102600.1
公开（公告）日 ：
1986-09-17
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85102600B
授权日 ：
1988-02-03
发明人 ：
陈宝清朱英臣王玉魁王斐杰
申请人 ：
大连工学院
申请人地址 ：
辽宁省大连市凌水河
代理机构 ：
大连工学院专利事务所
代理人 ：
修德金
优先权 ：
CN85102600.1
主分类号 ：
C23C14/34
IPC分类号 ：
C23C14/34
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
法律状态
1992-08-26 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1988-09-28 ：
授权
1988-02-03 ：
审定
1986-09-17 ：
公开
1986-07-02 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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