磁控溅射与多弧离子镀复合式真空镀膜机
专利权的终止
摘要

一种磁控溅射与多弧离子镀复合式真空镀膜机,包括真空镀膜室、真空系统、电源系统、气动系统、供气系统、冷却系统、驱动系统、控制与测试系统和警报系统,其特征在于真空室体内顶部装有工件架行星传动转盘,转盘下接悬挂式工件架,真空室体上部的工件架驱动机构使工件架在公转的同时还自转;其真空室体壁上安装磁控溅射镍靶和电弧镀铬靶两种靶,本实用新型能够实现被镀工件一次装炉完成镀制镍、铬两种膜层。

基本信息
专利标题 :
磁控溅射与多弧离子镀复合式真空镀膜机
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820013189.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-05-28
授权号 :
CN201217685Y
授权日 :
2009-04-08
发明人 :
戴今古张世伟徐成海张志军
申请人 :
玉环县金源比特科技发展有限公司
申请人地址 :
317605浙江省玉环县楚门镇中山工业区
代理机构 :
沈阳东大专利代理有限公司
代理人 :
梁 焱
优先权 :
CN200820013189.8
主分类号 :
C23C14/22
IPC分类号 :
C23C14/22  C23C14/35  C23C14/24  C23C14/14  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
2012-07-25 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101304526119
IPC(主分类) : C23C 14/22
专利号 : ZL2008200131898
申请日 : 20080528
授权公告日 : 20090408
终止日期 : 20110528
2009-04-08 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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