多弧离子镀技术中的等离子体蒸发装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要

本实用新型属表面物理技术,是多弧离子镀技术中的等离子体蒸发装置,本实用新型采用电弧法使镀材离化,它使用由复合磁铁及导磁组件组成的磁场,及直接水冷的镀材制成的等离子体蒸发装置,可有效地避免镀材离化过程中,液滴颗粒微团的发生,大大提高了镀材的离化质量。本实用新型与采用单一磁铁形成磁场的现有技术相比,更易于发展多弧源的离子镀膜设备,同时也易于获得高质量的装饰膜和增寿膜。

基本信息
专利标题 :
多弧离子镀技术中的等离子体蒸发装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN89207975.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
1989-06-15
授权号 :
CN2066030U
授权日 :
1990-11-21
发明人 :
王永光吕凤玲李立国穆湘沅王玉华
申请人 :
北京市爱达星实业公司
申请人地址 :
102601北京市大兴庞各庄北京市爱达星实业公司
代理机构 :
大兴县专利事务所
代理人 :
绳立成
优先权 :
CN89207975.4
主分类号 :
C23C14/30
IPC分类号 :
C23C14/30  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
C23C14/28
波能法或粒子辐射法
C23C14/30
电子轰击法
法律状态
1993-05-12 :
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-07-31 :
授权
1990-11-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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