高均匀膜层镀膜装置
专利权的终止
摘要
本装置能在凸凹平三种基片上涂高均匀膜层，其摩擦轨道(28或28a)由一对不具轴对称的面对称曲面构成。工件夹具(35)距蒸发源(15或19)最近的摆动极值角大于距蒸发源(15或19)最远的摆动极值角；或在摩擦轨道(28)下方的镀膜室底盘(8)上同时装上一个可调可折可卸的空间遮挡片载台装置(48)。且操作简单、使用方便、重复性高，生产效率是现有技术的1至4倍。既能显著提高光学(或电子)元件及整机的质量，又能降低其成本。
基本信息
专利标题 ：
高均匀膜层镀膜装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN86205339.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1986-07-08
授权号 ：
CN86205339U
授权日 ：
1987-12-09
发明人 ：
周时培
申请人 ：
周时培
申请人地址 ：
四川省成都市中国科学院成都科学仪器厂
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN86205339.0
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
1989-12-27 ：
专利权的终止
终止日 : 19880615
1988-06-15 ：
授权
1987-12-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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