单质硫的硫和金属离子复合注入方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明采用单质硫在金属离子注入系统中进行硫-金属离子复合注入材料表面改性。该技术具有束斑大、无污染、工艺简单的特点。适用于宇航工程、机械工程中的高精度部件的材料表面改性。
基本信息
专利标题 ：
单质硫的硫和金属离子复合注入方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1084904A
申请号 ：
CN92111302.1
公开（公告）日 ：
1994-04-06
申请日 ：
1992-09-29
授权号 ：
CN1034680C
授权日 ：
1997-04-23
发明人 ：
李国卿闻学亚史维东
申请人 ：
大连理工大学
申请人地址 ：
116024辽宁省大连市凌水河
代理机构 ：
大连理工大学专利事务所
代理人 ：
侯明远
优先权 ：
CN92111302.1
主分类号 ：
C23C14/48
IPC分类号 ：
C23C14/48
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/48
离子注入
法律状态
2000-11-22 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1997-04-23 ：
授权
1995-01-18 ：
实质审查请求的生效
1994-04-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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