一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明提供了一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法。在激光器有源区采用原子层外延方法生长原子层超晶格(量子阱)。其中作为势阱的原子层超晶格中的势阱与势垒分别用ZnSe与CdSe组成，其厚度不超过其临界厚度，消除晶格弛豫所造成的失配位错，提高晶体结构完整性，提高了半导体激光器性能。在n区夹一层50纳米的Zn1-xCdxSySe1-y，在激光器的正向偏压下就可以提高空穴的阻挡作用，增加激光器量子效率。并用原子层掺杂，改善了P型区的欧姆接触性质。
基本信息
专利标题 ：
一种蓝绿色半导体激光器材料及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1075831A
申请号 ：
CN92113809.1
公开（公告）日 ：
1993-09-01
申请日 ：
1992-12-15
授权号 ：
CN1025526C
授权日 ：
1994-07-20
发明人 ：
袁诗鑫李杰彭中灵陈新禹俞锦陛郭世平乔怡敏于梅芳谢钦熙
申请人 ：
中国科学院上海技术物理研究所
申请人地址 ：
200083上海市中山北一路420号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
高毓秋
优先权 ：
CN92113809.1
主分类号 ：
H01S3/18
IPC分类号 ：
H01S3/18 H01L33/00
法律状态
1997-01-29 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-07-20 ：
授权
1993-09-01 ：
公开
1993-08-25 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
