高灵敏度的近红外光折变掺杂铌酸锂晶体
公开
摘要
本发明涉及高灵敏度的近红外(750—850nm)光折变掺杂铌酸锂晶体属于近红外用的光折变晶体领域。单掺Fe2O3为0.05—0.3mol％；双掺Fe2O3+CeO2为0.1—0.6mol％。在生长后经高温还原处理，在750—850nm近红外区域内具有光折变效应，可与750—900nm的半导体激光器配套使用。
基本信息
专利标题 ：
高灵敏度的近红外光折变掺杂铌酸锂晶体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1084227A
申请号 ：
CN93112547.2
公开（公告）日 ：
1994-03-23
申请日 ：
1993-09-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
徐良瑛束碧云肖兵
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区定西路1295号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN93112547.2
主分类号 ：
C30B29/30
IPC分类号 ：
C30B29/30 H01S3/16
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/30
铌酸盐；钒酸盐；钽酸盐
法律状态
1994-03-23 ：
公开
1994-03-02 ：
实质审查请求的生效
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1084227A.PDF
PDF下载
