四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺，属于溶盐提拉法生长工艺技术领域。分子组成为M：KTa1-xNbxO3，x＝0.40-0.52，M是Fe，Cu，Ni，Co，Cr等之一，原料为Ta2O5，Nb2O5和K2CO3，掺杂剂占原料总重量的0.1-0.5％，原料和掺杂剂混匀后放入铂坩埚内，置于生长炉中，升温至1300-1400℃化料，然后降温至1250℃左右，采用顶端籽晶法降温生长。本发明工艺条件稳定，晶体容易生长，所得晶体光学性能优良。
基本信息
专利标题 ：
四方相掺杂钽铌酸钾晶体及其生长工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1077504A
申请号 ：
CN93110394.0
公开（公告）日 ：
1993-10-20
申请日 ：
1993-04-19
授权号 ：
CN1029136C
授权日 ：
1995-06-28
发明人 ：
王继杨魏景谦管庆才刘耀岗邵宗书蒋民华
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
250100山东省济南市山大南路27号
代理机构 ：
山东大学专利事务所
代理人 ：
孙君
优先权 ：
CN93110394.0
主分类号 ：
C30B29/30
IPC分类号 ：
C30B29/30 C30B9/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/30
铌酸盐；钒酸盐；钽酸盐
法律状态
1998-06-17 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-06-28 ：
授权
1994-06-15 ：
实质审查请求的生效
1993-10-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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