制造液晶显示器基板及评价半导体晶体的方法与装置
专利申请的视为撤回
摘要
用CVD法在一块玻璃基板上形成一层非晶硅膜，然后用一个激光束照射部件将与岛形区同样尺寸的激光束脉冲间隙性地照射在非晶硅膜上而将非晶硅膜的岛形区改变成排列成一行并以预定的距离互相分隔开的多个多晶硅区。包含作为半导体区的岛形区的开关元件是通过蚀刻与膜形成处理形成的，以构成一个驱动电路区。该区分成门驱动电路区与源驱动电路区用于驱动形成在一个象素区中的薄膜晶体管。
基本信息
专利标题 ：
制造液晶显示器基板及评价半导体晶体的方法与装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1088002A
申请号 ：
CN93114676.3
公开（公告）日 ：
1994-06-15
申请日 ：
1993-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
今桥一成浜贵一烟次郎
申请人 ：
东京电子株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
蹇炜
优先权 ：
CN93114676.3
主分类号 ：
G02F1/133
IPC分类号 ：
G02F1/133 H01L21/26 H01L25/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G02
光学
G02F
用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器
G02F1/00
控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学
G02F1/01
对强度、相位、偏振或颜色的控制
G02F1/13
基于液晶的，例如单位液晶显示单元
G02F1/133
构造上的设备；液晶单元的工作；电路装置
法律状态
2000-08-09 ：
专利申请的视为撤回
1995-08-30 ：
实质审查请求的生效
1994-06-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
