一种亚波长光刻条件下可变偏差蚀刻模拟方法
专利权的终止
摘要
本发明公开的亚波长光刻条件下可变偏差蚀刻模拟方法，包括通过计算线条边缘光强梯度、短程图形密度和长程图形密度等参数来刻画光刻过程中的蚀刻过程，并通过统计优化确定经验公式各项系数的步骤。该方法提出了利用光强梯度和图形密度来刻画蚀刻过程中的感光强度，考虑局部蚀刻反应浓度等效应对最终图形的影响，并利用实测数据校正模型参数，从而较精确地计算出集成电路光刻制造过程中硅表面的光强分布和预测蚀刻后成像图形的轮廓。本发明可应用于亚波长光刻条件下集成电路设计的可制造性验证以及版图的OPC校正。
基本信息
专利标题 ：
一种亚波长光刻条件下可变偏差蚀刻模拟方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1750011A
申请号 ：
CN200510061180.5
公开（公告）日 ：
2006-03-22
申请日 ：
2005-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
严晓浪史峥王国雄陈晔
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
韩介梅
优先权 ：
CN200510061180.5
主分类号 ：
G06F17/50
IPC分类号 ：
G06F17/50 G03F7/00
法律状态
2013-12-04 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101550522369
IPC(主分类) : G06F 17/50
专利号 : ZL2005100611805
申请日 : 20051020
授权公告日 : 20080213
终止日期 : 20121020
号牌文件序号 : 101550522369
IPC(主分类) : G06F 17/50
专利号 : ZL2005100611805
申请日 : 20051020
授权公告日 : 20080213
终止日期 : 20121020
2008-02-13 ：
授权
2006-05-17 ：
实质审查的生效
2006-03-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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