集成电路后道封装塑封成型方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种集成电路后道封装塑封成型方法，包括对上、下部环氧树脂饼料块的温度控制，上部饼料的温度高于下部饼料的温度，且温度差为10～20℃。本发明可有效避免塑封过程中在制品内部产生气泡残留，提高产品的可靠性能。
基本信息
专利标题 ：
集成电路后道封装塑封成型方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1959947A
申请号 ：
CN200510095099.9
公开（公告）日 ：
2007-05-09
申请日 ：
2005-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉加安
申请人 ：
南通富士通微电子股份有限公司
申请人地址 ：
226006江苏省南通市崇川开发区崇川路30号
代理机构 ：
南通市科伟专利事务所有限公司
代理人 ：
葛雷
优先权 ：
CN200510095099.9
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 B29C45/76
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2009-08-26 ：
发明专利申请公布后的驳回
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2007-05-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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