一种多晶锗硅薄膜的制备方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明公开的多晶锗硅薄膜的制备方法，其步骤如下：先将硅衬底清洗干净后放入热氧化炉中，在硅衬底上热氧化一层二氧化硅层；然后将样品放入超高真空化学气相沉积装置中，500～600℃下，通入纯硅源和以氢气为载气的锗烷，控制生长室压强10～20Pa，在二氧化硅表面形成锗硅晶核；再将生长压强降至0.01～0.1Pa，保持生长参数不变，在锗硅晶核处选择性生长，形成连续的薄膜。采用本发明制备的多晶锗硅薄膜，可以避免一般化学气相沉积薄膜生长时成核与生长交替进行，造成薄膜在生长方向晶体质量不均匀，缺陷较多，载流子迁移率不高的问题。获得在薄膜生长方向上晶体质量均匀的多晶锗硅薄膜，为半导体器件制造提供高质量的多晶锗硅薄膜。
基本信息
专利标题 ：
一种多晶锗硅薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822319A
申请号 ：
CN200510097011.7
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
叶志镇吴贵斌赵星刘国军赵炳辉
申请人 ：
浙江大学
申请人地址 ：
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
韩介梅
优先权 ：
CN200510097011.7
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205 C23C16/52
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
2010-03-03 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-12-26 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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