高分子材料与芯片的局部接合结构
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明提供一种高分子材料与芯片的局部接合结构，该局部芯片接合结构包含：一基板、一金属导线、一高分子材料层，该高分子材料层具有不同的斥水亲水性、应力低、熔点低以及密封性高的特性，是应用于标准半导体制程。该高分子材料层能在低温下以旋涂或化学气相沉积的方式达到良好的均匀性，能利用该基板的电路本身具有的金属层或以极细的该金属导线绕成曲折状于该基板侧边以增加电流密度，接着，再利用局部电流加热方式以产生足够温度，促使该高分子材料层与该基板瞬间密合。如此一来，即可达到局部加热的效果且不影响该芯片的电路特性。
基本信息
专利标题 ：
高分子材料与芯片的局部接合结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1941332A
申请号 ：
CN200510108087.5
公开（公告）日 ：
2007-04-04
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
温荣弘傅建中
申请人 ：
沛亨半导体股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
任默闻
优先权 ：
CN200510108087.5
主分类号 ：
H01L23/00
IPC分类号 ：
H01L23/00 H01L23/02 H01L23/28 H01L23/48 H01L21/50 H01L21/52 H01L21/56 H01L21/58 H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
法律状态
2009-04-22 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2007-05-30 ：
实质审查的生效
2007-04-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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