多芯片叠加接合结构
授权
摘要

本实用新型提供多芯片叠加接合结构,涉及芯片技术领域,包括叠加内层和限制外壳,所述叠加内层设置在限制外壳的内部,所述叠加内层包括支撑面板、分层支架和侧方支架,所述分层支架的底部连接在侧方支架的内部,所述分层支架的另一端连接在支撑面板的上表面,所述支撑面板的底部搭接在侧方支架的顶部。本实用新型限制外壳采用分层支架和侧方支架分别对接多层的支撑面板,从而提升每个支撑面板的稳定性,并且在每个支撑面板之间均留有一定的空间,可以有效地防止支撑面板与其他支撑面板相接触,以避免对内部芯片造成破坏,在一定程度上可以提升此结构对于芯片的保护效果和范围,同时整体的体积较小,有助于减轻整个结构质量。

基本信息
专利标题 :
多芯片叠加接合结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202220033268.5
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2022-01-07
授权号 :
CN216719922U
授权日 :
2022-06-10
发明人 :
马健中刘刚詹英祺洪火峰
申请人 :
铜川九方迅达微波系统有限公司
申请人地址 :
陕西省铜川市新区新材料产业园区创新路光电子集成产业园二期3号楼
代理机构 :
合肥东邦滋原专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
杨静
优先权 :
CN202220033268.5
主分类号 :
H01L23/02
IPC分类号 :
H01L23/02  H01L25/065  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/02
容器;封接
法律状态
2022-06-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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