本发明公开了一种以含氟硅玻璃作为介电质的半导体后端连线。本发明一种以含氟硅玻璃作为介电质的半导体后端连线，第一步，形成金属线条；第二步，生长高折射率的氧化物作为垫衬氧化层；第三步，淀积FSG作为介电质，并在表面覆盖一层正常折射率的氧化硅或者四乙氧基硅烷；第四步，对FSG、氧化硅或者四乙氧基硅烷组成的复合膜进行平坦化；第五步，在平坦化后的硅片表面生长一层高折射率的氧化物作为覆盖层；第六步，开孔形成钨塞；第七步，去除多余的钨和扩散阻挡层；第八步，淀积下一层金属。本发明适用于半导体连线工艺。